NVMFSC1D6N06CL

onsemi

NVMFSC1D6N06CL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6660 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 224A (Tc)
最大功耗4.1W (Ta), 166W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101