NVMFS024N06CT1G

onsemi

NVMFS024N06CT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN

在产8-PowerTDFN, 5 Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds333 pF @ 30 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta), 25A (Tc)
最大功耗3.4W (Ta), 28W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
供应商器件封装5-DFN (5x6) (8-SOFL)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)