NVMFD6H852NLT1G

Name: NVMFD6H852NLT1G
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.5mOhm @ 10A, 10V
基础料号	NVMFD6
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	521 pF @ 40 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 26µA

漏源电压	80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta), 25A (Tc)
最大功耗	3.2W (Ta), 38W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)