NVLUS4C12NTAG

onsemi

NVLUS4C12NTAG

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN

已停产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1172 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.3V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)
最大功耗630mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101