NVLJWD040N06CLTAG

onsemi

NVLJWD040N06CLTAG

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 6WDFNW

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 5A, 10V
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds340pF @ 25V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 13µA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta), 18A (Tc)
Power - Max2.2W (Ta), 24W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-WDFNW (2.2x2.3)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101