NVHL060N090SC1

onsemi

NVHL060N090SC1

模拟与电源

SICFET N-CH 900V 46A TO247-3

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs84mOhm @ 20A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1770 pF @ 450 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+19V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 5mA

电气

漏源电压900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc)
最大功耗221W (Tc)

机械

封装Tube

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101