NVH4L040N65S3F

onsemi

NVH4L040N65S3F

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 32.5A, 10V
基础料号NVH4L040
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5665 pF @ 400 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.1mA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
最大功耗446W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装TO-247-4L

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)