NVH4L040N120M3S

Name: NVH4L040N120M3S
Brand: onsemi

模拟与电源

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	54mOhm @ 20A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 800 V
制造商	onsemi
安装类型	Through Hole
包装	Tube
产品状态	在产
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+18V, -3V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 10mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	54A (Tc)
最大功耗	231W (Tc)