NVH4L020N090SC1

onsemi

NVH4L020N090SC1

Datasheet

模拟与电源

SIC MOSFET 900V TO247-4L

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 60A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4415 pF @ 450 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA

电气

漏源电压900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C116A (Tc)
最大功耗484W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装TO-247-4L

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)