NVF6P02T3G

onsemi

NVF6P02T3G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

已停产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 16 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
最大功耗8.3W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223 (TO-261)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)