NVBGS4D1N15MC

onsemi

NVBGS4D1N15MC

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK

在产TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 104A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7285 pF @ 75 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 574µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 185A (Tc)
最大功耗3.7W (Ta), 316W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
供应商器件封装D2PAK (TO-263)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)