NVBG020N090SC1

Name: NVBG020N090SC1
Brand: onsemi

模拟与电源

SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 60A, 15V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4415 pF @ 450 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+19V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 20mA

漏源电压	900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.8A (Ta), 112A (Tc)
最大功耗	3.7W (Ta), 477W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)