NVBG015N065SC1

onsemi

NVBG015N065SC1

Datasheet

模拟与电源

SIC MOS D2PAK-7L 650V

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 75A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4689 pF @ 325 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 25mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C145A (Tc)
最大功耗500W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装D2PAK-7

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)