NVB260N65S3

onsemi

NVB260N65S3

Datasheet

模拟与电源

SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1010 pF @ 400 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列SuperFET® III
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 290µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
最大功耗90W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装TO-263 (D2PAK)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)