NVB072N65S3

onsemi

NVB072N65S3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 24A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 400 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列SuperFET® III, FRFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
最大功耗312W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101