NVATS4A101PZT4G

onsemi

NVATS4A101PZT4G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 13A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds875 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta)
最大功耗36W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101