NTZS3151PT1G

onsemi

NTZS3151PT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 950mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds458 pF @ 16 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C860mA (Ta)
最大功耗170mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-563

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)