NTTS2P03R2

onsemi

NTTS2P03R2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8

停产/老旧8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.48A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 24 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta)
最大功耗600mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供应商器件封装8-MSOP

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)