NTTFS6H880NLTAG

onsemi

NTTFS6H880NLTAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds431 pF @ 40 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Ta), 22A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 33W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-WDFN (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)