NTTFS6H860NTAG

Name: NTTFS6H860NTAG
Brand: onsemi

模拟与电源

TRENCH 8 80V NFET

在产8-PowerWDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	21.1mOhm @ 5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 40 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 30µA

漏源电压	80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Ta), 30A (Tc)
最大功耗	3.1W (Ta), 46W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)