NTTFS5D9N08HTWG

onsemi

NTTFS5D9N08HTWG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 23A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2040 pF @ 40 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 120µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 84A (Tc)
最大功耗2.7W (Ta), 100W (Tc)

机械

Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-PQFN (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)