NTTFS4H07NTWG

onsemi

NTTFS4H07NTWG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN

停产/老旧8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds771 pF @ 12 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Ta), 66A (Tc)
最大功耗2.64W (Ta), 33.8W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-WDFN (3.3x3.3)

环境

工作温度150°C (TJ)