NTTFS1D2N02P1E

Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN

在产8-PowerWDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1mOhm @ 38A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4040 pF @ 13 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 934µA

漏源电压	25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 180A (Tc)
最大功耗	820mW (Ta), 52W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)