NTTFS003N04CTAG

onsemi

NTTFS003N04CTAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 60µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta), 103A (Tc)
最大功耗3.2W (Ta), 69W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-WDFN (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)