NTTFD022N10C

onsemi

NTTFD022N10C

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN

在产12-PowerWQFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.8A, 10V
基础料号NTTFD022
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds585pF @ 50V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 44µA

电气

漏源电压100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 24A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 26W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerWQFN
供应商器件封装12-WQFN (3.3x3.3)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)