NTS2101PT1

onsemi

NTS2101PT1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3

停产/老旧SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds640 pF @ 8 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
最大功耗290mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装SC-70-3 (SOT323)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)