NTR4170NT3G

onsemi

NTR4170NT3G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 3.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds432 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A (Ta)
最大功耗480mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)