NTR1P02LT1

onsemi

NTR1P02LT1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

停产/老旧TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 750mA, 4.5V
基础料号NTR1P0
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 5 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Ta)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)