NTQS6463R2

onsemi

NTQS6463R2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP

停产/老旧8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6.8A, 4.5V
基础料号NTQS64
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 5 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Ta)
最大功耗930mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-TSSOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)