NTPF600N80S3Z

onsemi

NTPF600N80S3Z

Datasheet

模拟与电源

SF3 800V 600MOHM TO-220F

已停产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds725 pF @ 400 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusNot For New Designs
系列SuperFET® III
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 180µA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tj)
最大功耗28W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)