NTP4813NLG

onsemi

NTP4813NLG

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 10.2A TO220AB

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.1mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds895 pF @ 12 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.2A (Ta)
最大功耗2.4W (Ta), 60W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)