NTNS3164NZT5G

onsemi

NTNS3164NZT5G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C361mA (Ta)
最大功耗155mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)