NTMYS2D2N06CLTWG

onsemi

NTMYS2D2N06CLTWG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4

在产SOT-1023, 4-LFPAK模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4850 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 180µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 185A (Tc)
最大功耗3.9W (Ta), 134W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
供应商器件封装LFPAK4 (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)