NTMTSC4D2N10GTXG

onsemi

NTMTSC4D2N10GTXG

Datasheet

模拟与电源

100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 88A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10450 pF @ 50 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 450µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 178A (Tc)
最大功耗3.9W (Ta), 267W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-TDFNW (8.3x8.4)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)