NTMTSC1D6N10MCTXG

onsemi

NTMTSC1D6N10MCTXG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 90A, 10V
基础料号NTMTSC1
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7630 pF @ 50 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 650µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 267A (Tc)
最大功耗5.1W (Ta), 291W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-TDFNW (8.3x8.4)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)