NTMTS0D4N04CTXG

onsemi

NTMTS0D4N04CTXG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.45mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16500 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C79.8A (Ta), 558A (Tc)
最大功耗5W (Ta), 244W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-DFNW (8.3x8.4)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)