NTMTS001N06CLTXG

onsemi

NTMTS001N06CLTXG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 398.2A

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.81mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12300 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C398.2A (Tc)
最大功耗5W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-DFNW (8.3x8.4)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)