NTMT061N60S5F

onsemi

NTMT061N60S5F

Datasheet

模拟与电源

SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88

在产4-PowerTSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs61mOhm @ 20.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4175 pF @ 400 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列SuperFET® V, FRFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 4.6mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc)
最大功耗255W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
供应商器件封装4-TDFN (8x8)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)