NTMS4706NR2

onsemi

NTMS4706NR2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SOIC

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 24 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Ta)
最大功耗830mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)