NTMJS2D5N06CLTWG

onsemi

NTMJS2D5N06CLTWG

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 3.9A/113A 8LFPAK

在产SOT-1205, 8-LFPAK56模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 135µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A (Ta), 113A (Tc)
最大功耗3.9W (Ta), 113A (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
供应商器件封装8-LFPAK

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)