NTMJS1D5N04CLTWG

onsemi

NTMJS1D5N04CLTWG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK

在产SOT-1205, 8-LFPAK56模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4300 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 130µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Ta), 200A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 110W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
供应商器件封装8-LFPAK

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)