NTMJS0D9N03CGTWG

onsemi

NTMJS0D9N03CGTWG

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V LFPAK8

停产/老旧SOT-1205, 8-LFPAK56模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs131.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9550 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 200µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Ta), 315A (Tc)
最大功耗3.9W (Ta), 150W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
供应商器件封装8-LFPAK

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)