NTMFSC4D2N10MC

onsemi

NTMFSC4D2N10MC

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 44A, 10V
基础料号NTMFSC4
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2856 pF @ 50 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29.6A (Ta), 116A (Tc)
最大功耗7.9W (Ta), 122W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装8-DFN (5x6.15)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)