NTMFS4C09NAT1G

onsemi

NTMFS4C09NAT1G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN

在产8-PowerTDFN, 5 Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 30A, 10V
基础料号NTMFS4
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1252 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 52A (Tc)
最大功耗760mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
供应商器件封装5-DFN (5x6) (8-SOFL)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)