NTMFD4C86NT3G

onsemi

NTMFD4C86NT3G

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN

停产/老旧8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 30A, 10V
基础料号NTMFD4
配置2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1153pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.3A, 18.1A
Power - Max1.1W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-DFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)