NTMFD4C20NT3G

onsemi

NTMFD4C20NT3G

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN

停产/老旧8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 10A, 10V
基础料号NTMFD4
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds970pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.1A, 13.7A
Power - Max1.09W, 1.15W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)