NTMFD0D9N02P1E

onsemi

NTMFD0D9N02P1E

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN

在产8-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
基础料号NTMFD0D9
配置2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 340µA, 2V @ 1mA

电气

漏源电压30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 30A (Ta)
Power - Max960mW (Ta), 1.04W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
供应商器件封装8-PQFN (5x6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)