NTMD2P01R2

onsemi

NTMD2P01R2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.4A, 4.5V
基础料号NTMD2P
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 16V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Power - Max710mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)