NTLUS4C16NTBG

onsemi

NTLUS4C16NTBG

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6UDFN

已停产6-PowerUFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds690 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
系列µCool™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.1A (Ta)
最大功耗650mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
供应商器件封装6-UDFN (1.6x1.6)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)