NTLUD3A260PZTAG

onsemi

NTLUD3A260PZTAG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN

在产6-UFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 2A, 4.5V
基础料号NTLUD3
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A
Power - Max500mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-UDFN (1.6x1.6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)